N-kanals transistor IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V

N-kanals transistor IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.40kr
5-24
20.63kr
25-49
18.53kr
50-99
16.68kr
100+
14.52kr
Antal i lager: 779

N-kanals transistor IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.044 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1800pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Kostnad): 350pF. Pd (effektförlust, max): 140W. Port-/källspänning Vgs: 16V. RoHS: ja. Td(av): 39 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38

Teknisk dokumentation (PDF)
IRL540NS
26 parametrar
ID (T=100°C)
26A
ID (T=25°C)
36A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.044 Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1800pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Grindstyrning med logiknivå
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Kostnad)
350pF
Pd (effektförlust, max)
140W
Port-/källspänning Vgs
16V
RoHS
ja
Td(av)
39 ns
Td(på)
11 ns
Teknik
HEXFET® Power MOSFET
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies