Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRL540NS

N-kanals transistor, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRL540NS
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 22.95kr 28.69kr
5 - 9 21.80kr 27.25kr
10 - 24 21.11kr 26.39kr
25 - 49 20.65kr 25.81kr
50 - 99 20.20kr 25.25kr
100 - 249 18.19kr 22.74kr
250 - 781 17.55kr 21.94kr
Kvantitet U.P
1 - 4 22.95kr 28.69kr
5 - 9 21.80kr 27.25kr
10 - 24 21.11kr 26.39kr
25 - 49 20.65kr 25.81kr
50 - 99 20.20kr 25.25kr
100 - 249 18.19kr 22.74kr
250 - 781 17.55kr 21.94kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 781
Set med 1

N-kanals transistor, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRL540NS. N-kanals transistor, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.044 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Td(av): 39 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 25/07/2025, 16:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.