Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 22.95kr | 28.69kr |
5 - 9 | 21.80kr | 27.25kr |
10 - 24 | 21.11kr | 26.39kr |
25 - 49 | 20.65kr | 25.81kr |
50 - 99 | 20.20kr | 25.25kr |
100 - 249 | 18.19kr | 22.74kr |
250 - 781 | 17.55kr | 21.94kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 22.95kr | 28.69kr |
5 - 9 | 21.80kr | 27.25kr |
10 - 24 | 21.11kr | 26.39kr |
25 - 49 | 20.65kr | 25.81kr |
50 - 99 | 20.20kr | 25.25kr |
100 - 249 | 18.19kr | 22.74kr |
250 - 781 | 17.55kr | 21.94kr |
N-kanals transistor, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRL540NS. N-kanals transistor, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.044 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 140W. RoHS: ja. Td(av): 39 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 25/07/2025, 16:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.