N-kanals transistor IRL540N, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

N-kanals transistor IRL540N, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
18.63kr
5-24
16.41kr
25-49
14.82kr
50-99
13.67kr
100+
12.16kr
Antal i lager: 170

N-kanals transistor IRL540N, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.044 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1800pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 350pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 94W. Port-/källspänning Vgs: 16V. RoHS: ja. Td(av): 39 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38

Teknisk dokumentation (PDF)
IRL540N
32 parametrar
ID (T=100°C)
21A
ID (T=25°C)
30A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.044 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1800pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Grindstyrning med logiknivå
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
350pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
94W
Port-/källspänning Vgs
16V
RoHS
ja
Td(av)
39 ns
Td(på)
11 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
190 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier