Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRL530N

N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRL530N
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 12.14kr 15.18kr
5 - 9 11.54kr 14.43kr
10 - 24 10.93kr 13.66kr
25 - 45 10.32kr 12.90kr
Kvantitet U.P
1 - 4 12.14kr 15.18kr
5 - 9 11.54kr 14.43kr
10 - 24 10.93kr 13.66kr
25 - 45 10.32kr 12.90kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 45
Set med 1

N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRL530N. N-kanals transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 800pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 140 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 60A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 79W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 7.2 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Teknik: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk nivåkontrollerad. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 14:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.