N-kanals transistor IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

N-kanals transistor IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
34.45kr
5-24
29.95kr
25-49
26.73kr
50+
23.51kr
Antal i lager: 31

N-kanals transistor IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.006 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 5000pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 470A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1800pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 150W. Port-/källspänning Vgs: 16V. RoHS: ja. Td(av): 29 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 120ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:38

Teknisk dokumentation (PDF)
IRL3803S
30 parametrar
ID (T=100°C)
83A
ID (T=25°C)
60.4k Ohms
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.006 Ohms
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
5000pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Grindstyrning med logiknivå
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
470A
Kanaltyp
N
Kostnad)
1800pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
150W
Port-/källspänning Vgs
16V
RoHS
ja
Td(av)
29 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
120ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
1V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier