Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - IRL3803S

N-kanals transistor, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - IRL3803S
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 32.43kr 40.54kr
5 - 9 30.81kr 38.51kr
10 - 24 29.19kr 36.49kr
25 - 33 27.57kr 34.46kr
Kvantitet U.P
1 - 4 32.43kr 40.54kr
5 - 9 30.81kr 38.51kr
10 - 24 29.19kr 36.49kr
25 - 33 27.57kr 34.46kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 33
Set med 1

N-kanals transistor, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - IRL3803S. N-kanals transistor, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.006 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 5000pF. Kostnad): 1800pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 120ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 470A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 29 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 14:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.