N-kanals transistor IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V
| +10 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna | |
| Antal i lager: 8 |
N-kanals transistor IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.01 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 65.3nC. Avloppsskydd: ja. Bostadsmotstånd: 1.2K/W. C(tum): 3600pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 89A. Effekt: 130W. Egenskaper för halvledare: Logisk nivå. Funktion: Logic-Level Gate Drive, snabb växling. G-S Skydd: nej. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 2V. Grindspänning: 16V, ±16V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 310A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 870pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd mot tillstånd: 10M Ohms. Pd (effektförlust, max): 170W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 16V. RoHS: ja. Td(av): 37 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 94us. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:13