N-kanals transistor IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
35.88kr
5-24
31.52kr
25-49
27.96kr
50-99
25.26kr
100+
21.61kr
| Antal i lager: 9 |
N-kanals transistor IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.026 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. C(tum): 3700pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Logisk nivå. IDss (min): 10uA. Id(imp): 190A. Kanaltyp: N. Kostnad): 630pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 200W. Port-/källspänning Vgs: 16V. Td(av): 49 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:13
IRL2910
25 parametrar
ID (T=100°C)
39A
ID (T=25°C)
55A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.026 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
C(tum)
3700pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Logisk nivå
IDss (min)
10uA
Id(imp)
190A
Kanaltyp
N
Kostnad)
630pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
200W
Port-/källspänning Vgs
16V
Td(av)
49 ns
Td(på)
11 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier