N-kanals transistor IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

N-kanals transistor IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
22.88kr
5-24
19.20kr
25-49
16.83kr
50-99
15.21kr
100+
12.61kr
Antal i lager: 37

N-kanals transistor IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 3290pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 400A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1270pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 180W. Port-/källspänning Vgs: 16V. RoHS: ja. Td(av): 23 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:13

Teknisk dokumentation (PDF)
IRL2203N
29 parametrar
ID (T=100°C)
60A
ID (T=25°C)
116A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.07 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
3290pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
400A
Kanaltyp
N
Kostnad)
1270pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
180W
Port-/källspänning Vgs
16V
RoHS
ja
Td(av)
23 ns
Td(på)
11 ns
Teknik
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
56 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier