N-kanals transistor IRG4PH50U, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V

N-kanals transistor IRG4PH50U, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
110.51kr
5-9
97.25kr
10-24
86.54kr
25-49
78.75kr
50+
66.66kr
Antal i lager: 36

N-kanals transistor IRG4PH50U, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Antal terminaler: 3. C(tum): 3600pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 180A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 45A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Kostnad): 160pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: IRG4PH50U. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.56V. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Td(av): 200 ns. Td(på): 35 ns. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35

Teknisk dokumentation (PDF)
IRG4PH50U
28 parametrar
Ic(T=100°C)
24A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT
Kollektor-/emitterspänning Vceo
1200V
Antal terminaler
3
C(tum)
3600pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed)
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
6V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
180A
Kanaltyp
N
Kollektorström
45A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
25
Kostnad)
160pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
IRG4PH50U
Mättnadsspänning VCE(lat)
2.56V
Pd (effektförlust, max)
200W
RoHS
ja
Spec info
td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C
Td(av)
200 ns
Td(på)
35 ns
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier