N-kanals transistor IRG4PH50KD, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V

N-kanals transistor IRG4PH50KD, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
208.37kr
5-9
185.31kr
10-24
166.85kr
25-49
151.84kr
50+
131.24kr
Antal i lager: 12

N-kanals transistor IRG4PH50KD, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1220V. Antal terminaler: 3. C(tum): 2800pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 90A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 45A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Kostnad): 140pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.77V. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Td(av): 140 ns. Td(på): 87 ns. Trr-diod (Min.): 90 ns. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35

Teknisk dokumentation (PDF)
IRG4PH50KD
27 parametrar
Ic(T=100°C)
24A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT
Kollektor-/emitterspänning Vceo
1220V
Antal terminaler
3
C(tum)
2800pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed)
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
6V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
90A
Kanaltyp
N
Kollektorström
45A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
25
Kostnad)
140pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
2.77V
Pd (effektförlust, max)
200W
RoHS
ja
Td(av)
140 ns
Td(på)
87 ns
Trr-diod (Min.)
90 ns
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier