N-kanals transistor IRG4PH40U, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V

N-kanals transistor IRG4PH40U, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
75.07kr
5-9
70.99kr
10-24
65.91kr
25-49
60.74kr
50+
51.68kr
Antal i lager: 35

N-kanals transistor IRG4PH40U, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Antal terminaler: 3. C(tum): 1800pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 82A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 41A. Kostnad): 120pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.1V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.43V. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Td(av): 220 ns. Td(på): 24 ns. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35

Teknisk dokumentation (PDF)
IRG4PH40U
25 parametrar
Ic(T=100°C)
21A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT
Kollektor-/emitterspänning Vceo
1200V
Antal terminaler
3
C(tum)
1800pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
6V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
82A
Kanaltyp
N
Kollektorström
41A
Kostnad)
120pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
3.1V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
2.43V
Pd (effektförlust, max)
160W
RoHS
ja
Td(av)
220 ns
Td(på)
24 ns
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier