N-kanals transistor IRG4PC40FDPBF, TO-247, TO-247AC, 27A, TO-247 ( AC ), 600V

N-kanals transistor IRG4PC40FDPBF, TO-247, TO-247AC, 27A, TO-247 ( AC ), 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
99.40kr
5-14
92.04kr
15-24
86.02kr
25-49
80.39kr
50+
72.91kr
+48 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 23

N-kanals transistor IRG4PC40FDPBF, TO-247, TO-247AC, 27A, TO-247 ( AC ), 600V. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Ic(T=100°C): 27A. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 230 ns. C(tum): 2200pF. CE-diod: ja. Collector Current IC [A]: 49A. Collector Peak Current IP [A]: 200A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 84A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 63 ns. Kanaltyp: N. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Kollektorström: 49A. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 140pF. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Td(av): 230 ns. Td(på): 63 ns. Tillverkarens märkning: IRG4PC40FD. Trr-diod (Min.): 42 ns. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35

Teknisk dokumentation (PDF)
IRG4PC40FDPBF
38 parametrar
Hölje
TO-247
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-247AC
Ic(T=100°C)
27A
Hölje (enligt datablad)
TO-247 ( AC )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
Avstängningsfördröjning tf[nsec.]
230 ns
C(tum)
2200pF
CE-diod
ja
Collector Current IC [A]
49A
Collector Peak Current IP [A]
200A
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz
Gate haverispänning Ugs [V]
6V
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
6V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
84A
Inkopplingstid ton [nsec.]
63 ns
Kanaltyp
N
Kollektor-emitterspänning Uce [V]
600V
Kollektorström
49A
Komponentfamilj
IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Kostnad)
140pF
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
160W
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.85V
Pd (effektförlust, max)
160W
RoHS
ja
Td(av)
230 ns
Td(på)
63 ns
Tillverkarens märkning
IRG4PC40FD
Trr-diod (Min.)
42 ns
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier