N-kanals transistor IRG4PC30KD, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

N-kanals transistor IRG4PC30KD, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
51.30kr
5-9
46.26kr
10-24
41.87kr
25-49
38.67kr
50+
33.90kr
Antal i lager: 12

N-kanals transistor IRG4PC30KD, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 16A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 920pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: -. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 58A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 28A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Kostnad): 110pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.21V. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: Ultrasnabb IGBT-transistor. Td(av): 160 ns. Td(på): 60 ns. Trr-diod (Min.): 42 ns. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35

Teknisk dokumentation (PDF)
IRG4PC30KD
28 parametrar
Ic(T=100°C)
16A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247 ( AC )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
C(tum)
920pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
6V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
58A
Kanaltyp
N
Kollektorström
28A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
25
Kostnad)
110pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
2.7V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
2.21V
Pd (effektförlust, max)
100W
RoHS
ja
Spec info
Ultrasnabb IGBT-transistor
Td(av)
160 ns
Td(på)
60 ns
Trr-diod (Min.)
42 ns
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier