N-kanals transistor IRG4BC30W, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 980pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: effekt MOSFET transistor upp till 150 kHz. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 92A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 23A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 71pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: IRG 4BC30W. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Td(av): 99 ns. Td(på): 25 ns. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35