N-kanals transistor IRG4BC30UD, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V

N-kanals transistor IRG4BC30UD, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
86.91kr
5-9
77.50kr
10-24
70.51kr
25-49
65.38kr
50+
57.82kr
Antal i lager: 64

N-kanals transistor IRG4BC30UD, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220 ( AB ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal terminaler: 3. C(tum): 1100pF. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: UltraFast CoPack IGBT. Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Ic(puls): 92A. Kanaltyp: N. Kollektorström: 23A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 73pF. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.1V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: IRG4BC30UD. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Td(av): 91 ns. Td(på): 40 ns. Trr-diod (Min.): 42 ns. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:35

Teknisk dokumentation (PDF)
IRG4BC30UD
29 parametrar
Ic(T=100°C)
12A
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220 ( AB )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal terminaler
3
C(tum)
1100pF
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
UltraFast CoPack IGBT
Germanium diod
nej
Grind/sändarspänning VGE(th) min.
3V
Grind/sändarspänning VGE(th)max.
6V
Grind/sändarspänning VGE
20V
Ic(puls)
92A
Kanaltyp
N
Kollektorström
23A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
73pF
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
2.1V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
IRG4BC30UD
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.95V
Pd (effektförlust, max)
100W
RoHS
ja
Td(av)
91 ns
Td(på)
40 ns
Trr-diod (Min.)
42 ns
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier