N-kanals transistor IRFZ46N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

N-kanals transistor IRFZ46N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
14.11kr
5-24
12.29kr
25-49
10.77kr
50-99
9.63kr
100+
8.04kr
Antal i lager: 135

N-kanals transistor IRFZ46N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 16.5m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1696pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 407pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 107W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 52 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 67 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:13

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFZ46N
31 parametrar
ID (T=100°C)
37A
ID (T=25°C)
53A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
16.5m Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1696pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ultra Low On-Resistance
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
180A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Kostnad)
407pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
107W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
52 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
67 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier