N-kanals transistor IRFZ34N, TO-220, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220AB, 55V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 22.7nC. Avloppsskydd: zenerdiod. Bostadsmotstånd: 2.7K/W. C(tum): 700pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 26A. Effekt: 56W. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 240pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 68W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 31 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 57 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11