N-kanals transistor IRFZ24N, TO-220, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220AB, 55V
| +50 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 120 |
N-kanals transistor IRFZ24N, TO-220, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220AB, 55V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 13.3nC. Avloppsskydd: zenerdiod. Bostadsmotstånd: 3.3K/W. C(tum): 370pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 17A. Effekt: 45W. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 68A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 140pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 45W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 19 ns. Td(på): 4.9 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11