N-kanals transistor IRFZ24N, TO-220, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220AB, 55V

N-kanals transistor IRFZ24N, TO-220, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220AB, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
10.96kr
5-49
9.04kr
50-99
7.97kr
100-199
7.11kr
200+
6.05kr
+50 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 120

N-kanals transistor IRFZ24N, TO-220, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220AB, 55V. Hölje: TO-220. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 13.3nC. Avloppsskydd: zenerdiod. Bostadsmotstånd: 3.3K/W. C(tum): 370pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 17A. Effekt: 45W. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 68A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Kostnad): 140pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 45W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 19 ns. Td(på): 4.9 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFZ24N
38 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=100°C)
10A
ID (T=25°C)
17A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.07 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
13.3nC
Avloppsskydd
zenerdiod
Bostadsmotstånd
3.3K/W
C(tum)
370pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
55V
Dräneringsström
17A
Effekt
45W
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
Grindspänning
20V, ±20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
68A
Kanaltyp
N
Konditionering
tubus
Kostnad)
140pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
45W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
19 ns
Td(på)
4.9 ns
Teknik
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
56 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier