N-kanals transistor IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V

N-kanals transistor IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
13.34kr
5-24
11.21kr
25-49
9.86kr
50-99
8.78kr
100+
7.11kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 96

N-kanals transistor IRFUC20, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 4.4 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 350pF. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 100uA. Id(imp): 8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 48pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 42W. RoHS: ja. Td(av): 30 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: V-MOS. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFUC20
26 parametrar
ID (T=100°C)
1.2A
ID (T=25°C)
2A
Idss (max)
500uA
Resistans Rds På
4.4 Ohms
Hölje
TO-251 ( I-Pak )
Hölje (enligt datablad)
TO-251AA ( I-PAK )
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
350pF
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
100uA
Id(imp)
8A
Kanaltyp
N
Kostnad)
48pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
42W
RoHS
ja
Td(av)
30 ns
Td(på)
10 ns
Teknik
V-MOS
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IRFUC20