N-kanals transistor IRFU120N, TO251AA, IPAK
Kvantitet
Enhetspris
1-4
29.86kr
5-9
18.64kr
10-19
17.00kr
20-49
16.00kr
50+
15.21kr
| Antal i lager: 10 |
N-kanals transistor IRFU120N, TO251AA, IPAK. Hölje: TO251AA, IPAK. Avgift: 16.7nC. Bostadsmotstånd: 3.2K/W. Dräneringskälla spänning: 100V. Dräneringsström: 9.1A. Effekt: 39W. Grindspänning: 20V, ±20V. Montering/installation: THT. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Typ av transistor: N-MOSFET, HEXFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 02/01/2026, 03:26
IRFU120N
13 parametrar
Hölje
TO251AA, IPAK
Avgift
16.7nC
Bostadsmotstånd
3.2K/W
Dräneringskälla spänning
100V
Dräneringsström
9.1A
Effekt
39W
Grindspänning
20V, ±20V
Montering/installation
THT
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET®
Typ av transistor
N-MOSFET, HEXFET
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon (irf)