N-kanals transistor IRFU024N, TO-251 ( I-Pak ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251AA ( I-PAK ), 55V

N-kanals transistor IRFU024N, TO-251 ( I-Pak ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
14.36kr
5-24
12.36kr
25-49
10.40kr
50-99
9.50kr
100+
8.05kr
Antal i lager: 88

N-kanals transistor IRFU024N, TO-251 ( I-Pak ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Avgift: 13.3nC. Bostadsmotstånd: 3.3K/W. C(tum): 370pF. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 16A. Effekt: 38W. Funktion: Ultralågt på-motstånd, snabb växling. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 68A. Kanaltyp: N. Kostnad): 140pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 45W. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Td(av): 19 ns. Td(på): 4.7 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFU024N
32 parametrar
Hölje
TO-251 ( I-Pak )
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
17A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.075 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-251AA ( I-PAK )
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Avgift
13.3nC
Bostadsmotstånd
3.3K/W
C(tum)
370pF
Dräneringskälla spänning
55V
Dräneringsström
16A
Effekt
38W
Funktion
Ultralågt på-motstånd, snabb växling
Grindspänning
20V, ±20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
68A
Kanaltyp
N
Kostnad)
140pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
45W
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Td(av)
19 ns
Td(på)
4.7 ns
Teknik
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
56 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier