N-kanals transistor IRFS634A, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 5.8A. Resistans Rds På: 0.45 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 250V. Antal per fodral: 1. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 35W. Teknik: Advanced Power MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Samsung. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11