N-kanals transistor IRFR220, TO252AA, DPAK
Kvantitet
Enhetspris
1-4
20.07kr
5-9
12.57kr
10-19
10.86kr
20-49
10.00kr
50+
9.29kr
| Antal i lager: 50 |
N-kanals transistor IRFR220, TO252AA, DPAK. Hölje: TO252AA, DPAK. Avgift: 15nC. Bostadsmotstånd: 3.5K/W. Dräneringskälla spänning: 200V. Dräneringsström: 5A. Effekt: 43W. Grindspänning: 20V, ±20V. Montering/installation: SMD. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Typ av transistor: N-MOSFET, HEXFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 02/01/2026, 03:26
IRFR220
13 parametrar
Hölje
TO252AA, DPAK
Avgift
15nC
Bostadsmotstånd
3.5K/W
Dräneringskälla spänning
200V
Dräneringsström
5A
Effekt
43W
Grindspänning
20V, ±20V
Montering/installation
SMD
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET®
Typ av transistor
N-MOSFET, HEXFET
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon (irf)