N-kanals transistor IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V

N-kanals transistor IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
9.38kr
5-49
8.00kr
50-99
6.97kr
100-199
6.22kr
200+
5.14kr
Antal i lager: 118

N-kanals transistor IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 180pF. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 17A. Kanaltyp: N. Kostnad): 80pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 25W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 15 ns. Td(på): 6.9ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFR110
28 parametrar
ID (T=100°C)
2.7A
ID (T=25°C)
4.3A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.54 Ohms
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
D-PAK TO-252AA
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
180pF
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
17A
Kanaltyp
N
Kostnad)
80pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
25W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
15 ns
Td(på)
6.9ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
100 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier