N-kanals transistor IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms

Kvantitet

Enhetspris

1-1

73.79kr

2-4

66.12kr

5-9

60.28kr

10-24

55.03kr

25+

51.01kr

Antal i lager: 34

N-kanals transistor IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms. Drain-source spänning (Vds): 800V. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Effekt: 190W. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 7.8A. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 09:00

Teknisk dokumentation (PDF)

IRFPE50PBF

7 parametrar

Drain-source spänning (Vds)

800V

Resistans Rds På

1.2 Ohms

Effekt

190W

Kanaltyp

Max dräneringsström

7.8A

Typ av transistor

MOSFET krafttransistor

Originalprodukt från tillverkaren

Vishay