N-kanals transistor IRFP90N20D, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

N-kanals transistor IRFP90N20D, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
93.23kr
5-9
84.14kr
10-24
77.33kr
25-49
72.29kr
50+
64.59kr
Antal i lager: 45

N-kanals transistor IRFP90N20D, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 66A. ID (T=25°C): 94A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.023 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1070pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 380A. Kanaltyp: N. Kostnad): 6040pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 580W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Td(av): 43 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP90N20D
27 parametrar
ID (T=100°C)
66A
ID (T=25°C)
94A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.023 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1070pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Högfrekventa DC-DC-omvandlare
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
380A
Kanaltyp
N
Kostnad)
6040pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
580W
Port-/källspänning Vgs
30 v
Td(av)
43 ns
Td(på)
23 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies