N-kanals transistor IRFP4229PBF, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V

N-kanals transistor IRFP4229PBF, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
61.30kr
5-9
53.15kr
10-24
47.90kr
25-49
44.34kr
50+
39.40kr
Antal i lager: 43

N-kanals transistor IRFP4229PBF, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 0.038 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 250V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 4560pF. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: PDP MOSFET. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Kostnad): 390pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 310W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 25 ns. Td(på): 44 ns. Teknik: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatur: +175°C. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Vikt: 5.8g. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP4229PBF
34 parametrar
ID (T=100°C)
31A
ID (T=25°C)
44A
Idss (max)
1mA
Resistans Rds På
0.038 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Spänning Vds(max)
250V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
4560pF
Driftstemperatur
-40...+175°C
Funktion
PDP MOSFET
G-S Skydd
nej
IDss (min)
20uA
Id(imp)
180A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
25
Kostnad)
390pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
310W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
25 ns
Td(på)
44 ns
Teknik
HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH
Temperatur
+175°C
Trr-diod (Min.)
190 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Vikt
5.8g
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier