N-kanals transistor IRFP4227, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

N-kanals transistor IRFP4227, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
62.40kr
5-9
54.85kr
10-24
49.96kr
25-49
46.70kr
50+
41.50kr
Antal i lager: 37

N-kanals transistor IRFP4227, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1mA. Resistans Rds På: 0.021 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 4600pF. Driftstemperatur: -40...+175°C. Funktion: PDP MOSFET. G-S Skydd: nej. IDss (min): 20uA. Id(imp): 260A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Kostnad): 460pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 330W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 21 ns. Td(på): 33 ns. Teknik: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatur: +175°C. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP4227
33 parametrar
ID (T=100°C)
46A
ID (T=25°C)
65A
Idss (max)
1mA
Resistans Rds På
0.021 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
4600pF
Driftstemperatur
-40...+175°C
Funktion
PDP MOSFET
G-S Skydd
nej
IDss (min)
20uA
Id(imp)
260A
Kanaltyp
N
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
25
Kostnad)
460pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
330W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
21 ns
Td(på)
33 ns
Teknik
HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH
Temperatur
+175°C
Trr-diod (Min.)
100 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier