N-kanals transistor IRFP350PBF, TO-247AC, 400V. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): -. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 87 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2600pF. Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C: 19A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 190W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: IRFP350PBF. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay (siliconix). Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:45