N-kanals transistor IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V

N-kanals transistor IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
51.41kr
5-9
45.12kr
10-24
40.98kr
25-49
37.94kr
50+
33.76kr
Antal i lager: 19

N-kanals transistor IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 400V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2600pF. Driftstemperatur: -50...+150°C. Funktion: N MOSFET transistor. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Kanaltyp: N. Kostnad): 660pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 190W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Td(av): 87 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:51

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP350
26 parametrar
ID (T=100°C)
9.6A
ID (T=25°C)
16A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.3 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Spänning Vds(max)
400V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
2600pF
Driftstemperatur
-50...+150°C
Funktion
N MOSFET transistor
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Kanaltyp
N
Kostnad)
660pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
190W
Port-/källspänning Vgs
20V
Td(av)
87 ns
Td(på)
16 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier