N-kanals transistor IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

N-kanals transistor IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
116.10kr
5-14
107.59kr
15-29
101.41kr
30-59
96.60kr
60+
89.28kr
Antal i lager: 15

N-kanals transistor IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 4660pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. G-S Skydd: nej. IDss (min): 50uA. Id(imp): 110A. Kanaltyp: N. Kostnad): 460pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 500W. Port-/källspänning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(av): 43 ns. Td(på): 27 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 620 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:51

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP27N60KPBF
30 parametrar
ID (T=100°C)
18A
ID (T=25°C)
27A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.18 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
4660pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
SMPS MOSFET, Low Gate Charge
G-S Skydd
nej
IDss (min)
50uA
Id(imp)
110A
Kanaltyp
N
Kostnad)
460pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
500W
Port-/källspänning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(av)
43 ns
Td(på)
27 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
620 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay