N-kanals transistor IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

N-kanals transistor IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
56.11kr
5-24
49.70kr
25-49
44.98kr
50-99
40.91kr
100+
35.97kr
Antal i lager: 119

N-kanals transistor IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 4057pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: dynamiskt dv/dt-förhållande, snabb växling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 200A. Kanaltyp: N. Kostnad): 603pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 300W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 55 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 268 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Vikt: 5.57g. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:51

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP260N
31 parametrar
ID (T=100°C)
35A
ID (T=25°C)
50A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.04 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Spänning Vds(max)
200V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
4057pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
dynamiskt dv/dt-förhållande, snabb växling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
200A
Kanaltyp
N
Kostnad)
603pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
300W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
55 ns
Td(på)
17 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
268 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Vikt
5.57g
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier