N-kanals transistor IRFP250, TO247, TO247AC
Kvantitet
Enhetspris
1-4
34.43kr
5-9
21.64kr
10-19
19.79kr
20-49
18.71kr
50+
17.79kr
| Antal i lager: 10 |
N-kanals transistor IRFP250, TO247, TO247AC. Hölje: TO247, TO247AC. Avgift: 82nC, 123nC. Bostadsmotstånd: 700mK/W. Dräneringskälla spänning: 200V. Dräneringsström: 30A. Effekt: 214W. Grindspänning: 20V, ±20V. Konditionering: tubus. Montering/installation: THT. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Teknik: HEXFET®. Typ av transistor: N-MOSFET, HEXFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 02/01/2026, 01:54
IRFP250
14 parametrar
Hölje
TO247, TO247AC
Avgift
82nC, 123nC
Bostadsmotstånd
700mK/W
Dräneringskälla spänning
200V
Dräneringsström
30A
Effekt
214W
Grindspänning
20V, ±20V
Konditionering
tubus
Montering/installation
THT
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Teknik
HEXFET®
Typ av transistor
N-MOSFET, HEXFET
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon (irf)