N-kanals transistor IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V

N-kanals transistor IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
29.94kr
5-9
26.03kr
10-24
23.24kr
25-49
21.32kr
50+
18.61kr
+10 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 38

N-kanals transistor IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V. Hölje: TO-247. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.36 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 73.3nC, 110nC. Avloppsskydd: zenerdiod. Bostadsmotstånd: 1.1K/W. C(tum): 1900pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 100V. Dräneringsström: 30A, 39A. Effekt: 160W. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 140A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Konditioneringsenhet: 30. Kostnad): 450pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 160W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 45 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 180 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:51

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP150N
38 parametrar
Hölje
TO-247
ID (T=100°C)
30A
ID (T=25°C)
42A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.36 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
73.3nC, 110nC
Avloppsskydd
zenerdiod
Bostadsmotstånd
1.1K/W
C(tum)
1900pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
100V
Dräneringsström
30A, 39A
Effekt
160W
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
Grindspänning
20V, ±20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
140A
Kanaltyp
N
Konditionering
tubus
Konditioneringsenhet
30
Kostnad)
450pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
160W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
45 ns
Td(på)
11 ns
Teknik
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
180 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier