N-kanals transistor IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

N-kanals transistor IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
60.55kr
5-24
54.68kr
25-49
50.19kr
50-99
46.33kr
100+
40.49kr
Antal i lager: 45

N-kanals transistor IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0042 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 5600pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Effekt: 310W. Funktion: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 640A. Kanaltyp: N. Kostnad): 1310pF. Pd (effektförlust, max): 310W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 140 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:51

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP1405PBF
29 parametrar
ID (T=100°C)
110A
ID (T=25°C)
160A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.0042 Ohms
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
5600pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Effekt
310W
Funktion
Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
640A
Kanaltyp
N
Kostnad)
1310pF
Pd (effektförlust, max)
310W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
140 ns
Td(på)
12 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
70 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay