N-kanals transistor IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V

N-kanals transistor IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
49.64kr
5-9
46.26kr
10-24
43.65kr
25-49
41.18kr
50+
37.44kr
+5 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 105

N-kanals transistor IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V. Hölje: TO-247. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 113.3nC. Avloppsskydd: ja. Bostadsmotstånd: 1K/W. C(tum): 4000pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 55V. Dräneringsström: 98A. Effekt: 150W. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 390A. Kanaltyp: N. Konditionering: tubus. Konditioneringsenhet: 25. Kostnad): 1300pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 200W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(av): 43 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:51

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFP064N
40 parametrar
Hölje
TO-247
ID (T=100°C)
59A
ID (T=25°C)
110A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.008 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-247AC
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
113.3nC
Avloppsskydd
ja
Bostadsmotstånd
1K/W
C(tum)
4000pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
55V
Dräneringsström
98A
Effekt
150W
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
Grindspänning
20V, ±20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
390A
Kanaltyp
N
Konditionering
tubus
Konditioneringsenhet
25
Kostnad)
1300pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
200W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Ultra Low On-Resistance
Td(av)
43 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
110 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier