N-kanals transistor IRFL4105PBF, SOT-223 ( TO-226 ), 55V, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223, 55V
| +207 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 152 |
N-kanals transistor IRFL4105PBF, SOT-223 ( TO-226 ), 55V, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223, 55V. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Kapsling (JEDEC-standard): -. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.045 Ohms. Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 4. Avloppsskydd: zenerdiod. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 19 ns. C(tum): 660pF. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 660pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C: 3.7A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 3.7A. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 30A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.1 ns. Kanaltyp: N. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Kostnad): 230pF. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.1W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 19 ns. Td(på): 7.1 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Tillverkarens märkning: FL4105. Trr-diod (Min.): 55 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:51