N-kanals transistor IRFL024NPBF, SOT-223, 55V. Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): -. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 22 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 400pF. Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C: 2.8A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.1 ns. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: FL024N. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:06