N-kanals transistor IRFL024N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V

N-kanals transistor IRFL024N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
8.81kr
5-24
6.95kr
25-49
5.92kr
50-99
5.29kr
100+
4.43kr
Antal i lager: 179

N-kanals transistor IRFL024N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 2.8A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 400pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Ekvivalenta: IRFL024NPBF. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 11.2A. Kanaltyp: N. Kostnad): 145pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.1W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 22.2 ns. Td(på): 8.1 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 35 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:51

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFL024N
31 parametrar
ID (T=100°C)
2.3A
ID (T=25°C)
2.8A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.075 Ohms
Hölje
SOT-223 ( TO-226 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-223
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
400pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Ekvivalenta
IRFL024NPBF
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
25uA
Id(imp)
11.2A
Kanaltyp
N
Kostnad)
145pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
2.1W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
22.2 ns
Td(på)
8.1 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
35 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier