N-kanals transistor IRFIBC40G, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

N-kanals transistor IRFIBC40G, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
29.21kr
5-24
25.40kr
25-49
21.44kr
50+
19.39kr
Antal i lager: 47

N-kanals transistor IRFIBC40G, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1300pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 100uA. Id(imp): 14A. Kanaltyp: N. Kostnad): 160pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 40W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 55 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 470ms. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:51

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFIBC40G
28 parametrar
ID (T=100°C)
2.2A
ID (T=25°C)
3.5A
Idss (max)
500uA
Resistans Rds På
1.2 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
1300pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
100uA
Id(imp)
14A
Kanaltyp
N
Kostnad)
160pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
40W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
55 ns
Td(på)
13 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
470ms
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier