N-kanals transistor IRFIBC20G, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

N-kanals transistor IRFIBC20G, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
19.79kr
5-24
16.36kr
25-49
13.81kr
50+
12.31kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 31

N-kanals transistor IRFIBC20G, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 4.4 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 350pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 100uA. Id(imp): 6A. Kanaltyp: N. Kostnad): 48pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 30W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 30 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 290ms. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:51

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFIBC20G
28 parametrar
ID (T=100°C)
1.1A
ID (T=25°C)
1.7A
Idss (max)
500uA
Resistans Rds På
4.4 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Spänning Vds(max)
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
350pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
100uA
Id(imp)
6A
Kanaltyp
N
Kostnad)
48pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
30W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
30 ns
Td(på)
10 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
290ms
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IRFIBC20G