N-kanals transistor IRFI840G, 500V, 0.85 Ohms, TO-220FP, 2.9A, 4.6A, 250uA, TO-220F, 500V. Drain-source spänning (Vds): 500V. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Hölje: TO-220FP. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (max): 250uA. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1300pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: diod. IDss (min): 25uA. Id(imp): 18A. Kanaltyp: N. Kostnad): 200pF. Max dräneringsström: 4.6A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 40W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 55 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 340 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:51