N-kanals transistor IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V

N-kanals transistor IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
20.39kr
5-24
17.28kr
25-49
15.08kr
50-99
13.28kr
100+
10.77kr
Antal i lager: 95

N-kanals transistor IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220 FULLPAK. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: nej. C(tum): 360pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. G-S Skydd: ja. IDss (min): 25uA. Id(imp): 29A. Kanaltyp: N. Kostnad): 150pF. Pd (effektförlust, max): 37W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Td(av): 19 ns. Td(på): 8.8 ns. Teknik: tredje generationens effekt-MOSFET-transistor. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFI520G
27 parametrar
ID (T=100°C)
5.1A
ID (T=25°C)
7.2A
Idss (max)
250uA
Resistans Rds På
0.27 Ohms
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220 FULLPAK
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
nej
C(tum)
360pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
DC/DC spänningsomvandlare
G-S Skydd
ja
IDss (min)
25uA
Id(imp)
29A
Kanaltyp
N
Kostnad)
150pF
Pd (effektförlust, max)
37W
Port-/källspänning Vgs
20V
Td(av)
19 ns
Td(på)
8.8 ns
Teknik
tredje generationens effekt-MOSFET-transistor
Trr-diod (Min.)
130 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay