N-kanals transistor IRFD220, DIP4
Kvantitet
Enhetspris
1-4
47.14kr
5-9
33.79kr
10-19
31.79kr
20-49
30.50kr
50+
29.21kr
| Antal i lager: 25 |
N-kanals transistor IRFD220, DIP4. Hölje: DIP4. Avgift: 14nC. Dräneringskälla spänning: 200V. Dräneringsström: 0.5A. 800mA. Effekt: 1W. Grindspänning: ±20V. Montering/installation: THT. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Typ av transistor: N-MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 02/01/2026, 03:26
IRFD220
11 parametrar
Hölje
DIP4
Avgift
14nC
Dräneringskälla spänning
200V
Dräneringsström
0.5A
Effekt
1W
Grindspänning
±20V
Montering/installation
THT
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Typ av transistor
N-MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay