N-kanals transistor IRFD210, 0.38A, 0.6A, 250uA, 1.5 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. ID (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 140pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 4.8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 53pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 1W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 14 ns. Td(på): 8.2 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43