N-kanals transistor IRFD123, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 360pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Kostnad): 150pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 18 ns. Td(på): 6.8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43