N-kanals transistor IRFD110, DIP, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 100V
| +2 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 51 |
N-kanals transistor IRFD110, DIP, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 100V. Hölje: DIP. ID (T=100°C): 0.71A. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. Avgift: 8.3nC. Avloppsskydd: ja. C(tum): 180pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: 100V. Dräneringsström: 700mA, 0.71A. Effekt: 1.3W. G-S Skydd: nej. Grindspänning: ±20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 8A. Kanaltyp: N. Kostnad): 81pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Motstånd mot tillstånd: 0.54 Ohms. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 15 ns. Td(på): 6.9ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Tillverkarens märkning: IRFD110PBF. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43