N-kanals transistor IRFD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. Avloppsskydd: ja. C(tum): 310pF. Funktion: td(on) 10ns, td(off) 13ns. G-S Skydd: nej. IDss (min): 25uA. Id(imp): 14A. Kanaltyp: N. Kostnad): 160pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 13 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: FET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43