N-kanals transistor IRFBG30, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 5 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 1000V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 980pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S Skydd: nej. IDss (min): 100uA. Id(imp): 12A. Kanaltyp: N. Kostnad): 140pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 125W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 89 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 410 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43